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- [发明专利]反射型掩模坯以及反射型掩模-CN202180032346.8在审
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市川显二郎;合田步美;中野秀亮
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凸版光掩模有限公司
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2021-05-12
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2022-12-16
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G03F1/24
- 提供即使在使用高吸收性材料作为EUV掩模的吸收膜的情况下也可以形成微细的吸收膜图案,从而能够减轻投影效应、且能够进行电子束校正蚀刻的反射型掩模以及用于制作该反射型掩模的反射型掩模坯。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有:基板(1)、形成在基板(1)上的具有多层膜结构且反射EUV光的多层反射膜(2)、形成在多层反射膜(2)上且保护多层反射膜(2)的封盖层(3)、以及形成在封盖层(3)上且吸收EUV光的吸收膜(4),吸收膜(4)包含50原子%以上的构成氧化锡(SnO)和氧化铟(InO)中的至少一者的元素,并且包含容易被氟系气体或氯系气体蚀刻的材料。
- 反射型掩模坯以及型掩模
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